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DMC2400UV-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:1030mA 700mA
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- 描述
- 这种新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2400UV-13
- 商品编号
- C500791
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.03A；700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V；700mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 37.1pF；46.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF；4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压 VGS(TH) < 1V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对MOSFET
- 超小型表面贴装封装
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-负载开关
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