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DMG6968UQ-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- 特性：低导通电阻：25mΩ（VGS = 4.5V）；29mΩ（VGS = 2.5V）；36mΩ（VGS = 1.8V）。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD防护高达2kV。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6968UQ-7
- 商品编号
- C500794
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 151pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
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