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DMG1029SV-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:500mA 360mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG1029SV-7
- 商品编号
- C500788
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA；360mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET的设计旨在最小化导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-超小型表面贴装封装-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑的“绿色”器件-符合AEC-Q101标准,具备高可靠性
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能-模拟开关
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