MMDT5551-7-F
NPN 电流:200mA 电压:160V
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- 描述
- 特性:外延平面芯片结构。 互补PNP型。 适用于中功率放大和开关。 超小型表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该器件符合JEDEC标准,具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMDT5551-7-F
- 商品编号
- C500783
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80@10mA,5.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 互补PNP型 – MMDT5401
- 非常适合中功率放大和开关应用
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具备高可靠性
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)个
起订量:10 个3000个/圆盘
总价金额:
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