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AO3400A
30V N沟道MOSFET
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- 描述
- 漏源电压:30V 连续漏极电流:5.7A 导通电阻:48mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：0.65V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- AO3400A
- 商品编号
- C48678023
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- VDS = -20V， ID = -8A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 24.5mΩ（典型值）
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 31mΩ（典型值）
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 手机电池充电