温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO3407A
P沟道增强型场效应晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 漏源电压:30V 连续漏极电流:4.3A 导通电阻:78mΩ@4.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：1.2V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- AO3407A
- 商品编号
- C48678027
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 668pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 126pF |
商品概述
AO3407A/L采用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。AO3407A和AO3407AL在电气性能上完全相同。
商品特性
- VDS(V) = -30V
- ID = -4.3A (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 48mΩ (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 78mΩ (VGS = -4.5V)
- 经过Rg、Ciss、Coss、Crss测试
- TO-236 (SOT-23)
应用领域
- 移动主板/显卡核心电压
- 开关电源二次侧同步整流
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器