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SI2308A
N沟道MOSFET
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- 描述
- 漏源电压:60V 连续漏极电流:3A 导通电阻:95mΩ@4.5V 耗散功率:1.25W 阀值电压：1V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- SI2308A
- 商品编号
- C48678032
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
3402采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS)=60V
- 漏极电流(ID)=3A(栅源电压VGs=10V)
- 导通电阻RDS(ON) < 80 mΩ(栅源电压VGs=10V,漏极电流ID=3A)
- 导通电阻RDS(ON) < 95 mΩ(栅源电压VGs=4.5V,电流Ib=1.9A)
应用领域
- 负载开关和PWM应用
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