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SI2302A
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 漏源电压:20V 连续漏极电流:3.6A 导通电阻:60mΩ@2.5V 耗散功率:1.25W 阀值电压：0.62V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- SI2302A
- 商品编号
- C48678031
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 漏源电压(VDs)=20V
- 漏源导通电阻(RDs(on))=45mΩ(栅源电压(VGs)=4.5V,漏极电流(ID)=3.6A时)
- 漏源导通电阻(RDs(on))=60mΩ(栅源电压(VGs)=2.5V,漏极电流(Ib)=3.1A时)
应用领域
- PWM应用
- 负载开关