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AO3401A
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 漏源电压:30V 连续漏极电流:4.2A 导通电阻:120mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：0.4V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- AO3401A
- 商品编号
- C48678024
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS):-30V
- 漏极电流(ID):-4.2A(栅源电压VGS = -10V)
- 导通电阻RDS(ON) < 50mΩ(栅源电压VGS = -10V)
- 导通电阻RDS(ON) < 65mΩ(栅源电压VGS = -4.5V)
- 导通电阻RDS(ON) < 120mΩ(栅源电压VGS = -2.5V)