温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7329TRPBF
2个P沟道 耐压:12V 电流:9.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 新型P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的耐用器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种功率应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7329TRPBF
- 商品编号
- C495786
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V,9.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 640pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
新型P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，具有更好的热特性和多芯片集成能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
- 沟槽技术
- 超低导通电阻
- 双P沟道MOSFET
- 薄型（<1.8mm）
- 卷带包装可供选择
- 无铅