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IRF6775MTRPBF
1个N沟道 耐压:150V 电流:28A 电流:4.9A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6775MTRPBF
- 商品编号
- C495788
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.358333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@75V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.411nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
该器件是一款N沟道FDmesh™ II功率MOSFET，属于MDmesh™技术的第二代产品。这款具有创新性的功率MOSFET将新型垂直结构与该公司的条形布局相结合，并将低导通电阻和快速开关的所有优势与本征快速恢复体二极管相结合。因此，它非常适合用于桥接拓扑结构，特别是零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 最新的 MOSFET 硅技术
- 针对 D 类音频放大器应用优化关键参数
- 低 RDS(on),提高效率
- 低 Qg,改善 THD 并提高效率
- 低 Qrr,改善 THD 并降低 EMI
- 低封装杂散电感,减少振铃并降低 EMI
- 在半桥配置放大器中,每通道可向 4Ω 负载提供高达 250W 的功率
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
- 符合 RoHS 标准,不含铅或溴
- 无铅(可承受高达 260℃的回流焊)
应用领域
- 开关应用