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IRF6775MTRPBF
1个N沟道 耐压:150V 电流:28A 电流:4.9A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6775MTRPBF
- 商品编号
- C495788
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.358333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@75V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.411nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款数字音频 MOSFET 专为 D 类音频放大器应用而设计。该 MOSFET 采用最新的加工技术,以实现单位硅面积的低导通电阻。此外,还对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化,以改善 D 类音频放大器的关键性能指标,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)。 IRF6775MPbF 器件采用了 DirectFET 封装技术。与传统的引线键合 SOIC 封装相比,DirectFET 封装技术具有更低的寄生电感和电阻。更低的电感通过减少快速电流瞬变时伴随的电压振铃来改善 EMI 性能。当遵循应用笔记 AN - 1035 中的制造方法和工艺时,DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何形状、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装还支持双面散热,以最大限度地提高电力系统中的热传递,改善热阻和功率耗散。这些特性相结合,使这款 MOSFET 成为 D 类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
商品特性
- 最新的 MOSFET 硅技术
- 针对 D 类音频放大器应用优化关键参数
- 低 RDS(on),提高效率
- 低 Qg,改善 THD 并提高效率
- 低 Qrr,改善 THD 并降低 EMI
- 低封装杂散电感,减少振铃并降低 EMI
- 在半桥配置放大器中,每通道可向 4Ω 负载提供高达 250W 的功率
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
- 符合 RoHS 标准,不含铅或溴
- 无铅(可承受高达 260℃的回流焊)
应用领域
- 开关应用