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IRF1407STRLPBF
1个N沟道 耐压:75V 电流:100A
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- 描述
- 先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的处理技术，每单位硅面积可实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。D2Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的管芯尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D2Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。通孔版本适用于薄型应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF1407STRLPBF
- 商品编号
- C495793
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D2Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中，提供了最高的功率容量和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D2Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0W。 通孔版本（IRF1407L）适用于薄型应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 在最高结温Tjmax下允许重复雪崩
- 无铅