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MS8002C
N沟道 耐压:85V 电流:120A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MS8002C
- 商品编号
- C47361103
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.678克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 173W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.503nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.048nF |
商品特性
- 650V、54A，VGS = 10V 时，RDS(ON)（典型值）= 60 mΩ
- 先进的超结技术
- 易于控制栅极开关
- 经过 100% 雪崩测试
应用领域
- 软开关升压 PFC 开关
- 电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器
- 移相桥（ZVS）、LLC 应用服务器电源
- 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑