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MJD08N80
耐压:800V 电流:8A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：620mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MJD08N80
- 商品编号
- C47361156
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.358克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 850.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.92pF | |
| 输出电容(Coss) | 34.4pF |
商品特性
- 800V、8A,RDS(ON)(典型值) = 0.62 Ω@VGS = 10 V
- 先进的超结技术
- 栅极开关易于控制
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 电脑电源、PD适配器
- LCD与PDP电视及LED照明
- 单端反激或双晶体管正激拓扑