温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MJD08N65
N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：500mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MJD08N65
- 商品编号
- C47361154
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.422克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@13V | |
| 输入电容(Ciss) | 599pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品特性
- 650V、8A,RDS(ON)(典型值) = 0.50 Ω@VGS = 10 V。
- 先进的超结技术
- 易于控制栅极开关
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-PD适配器-LCD与PDP电视及LED照明-升压PFC开关、单端反激或双晶体管正激拓扑