商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 901pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 700V、11A,RDS(ON)(典型值) = 0.34 Ω @ VGS = 10 V
- 先进的超结技术
- 易于控制栅极开关
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑
- 电脑电源、PD适配器、液晶与等离子电视及LED照明