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IPT65R018CM8XTMA1

650V CoolMos CM8功率晶体管，采用超结原理设计，具备低振铃、快速体二极管和ESD保护，适用于多种开关应用

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPT65R018CM8XTMA1
商品编号: C47146864
商品封装: PG-HSOF-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1.76克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS第8代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它根据超结（SJ）原理设计，由英飞凌科技公司首创。650V CoolMOS CM8系列是650V CoolMOS 7系列的继任者，正在提升英飞凌的宽带隙产品。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和卓越的ESD能力。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

商品特性

一流的650V SJ MOSFET性能
由于出色的换向鲁棒性，适用于硬开关和软开关拓扑
集成快速体二极管和ESD保护
.XT互连技术实现一流的热性能

应用领域

电源和转换器
PFC级和LLC谐振转换器
高效开关应用
例如数据中心、人工智能服务器、电信电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	134A
	导通电阻(RDS(on))	15mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	694W
	阈值电压(Vgs(th))	4.2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	173nC
	输入电容(Ciss)	8.29nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	独立式
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	91pF
	栅极电压(Vgs)	±20V