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IGLR70R200D2SXUMA1引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IGLR70R200D2SXUMA1

高效氮化镓功率转换晶体管

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商品型号
IGLR70R200D2SXUMA1
商品编号
C47146875
商品封装
PG-TSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型N沟道
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)9.3A
耗散功率(Pd)34W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)1.26nC
输入电容(Ciss)91pF
反向传输电容(Crss)0.21pF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)15pF
导通电阻(RDS(on))200mΩ

商品特性

  • 增强型晶体管
  • 超快开关速度
  • 无反向恢复电荷
  • 支持反向导通
  • 低栅极电荷和输出电荷
  • 优异的换相鲁棒性
  • 符合 2 kV HBM ESD 标准

应用领域

  • 充电器
  • 适配器
  • 电视电源
  • 家用电器

数据手册PDF