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IMDQ75R007M2HXTMA1
采用第二代碳化硅沟槽技术的高可靠性MOSFET
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMDQ75R007M2HXTMA1
- 商品编号
- C47146880
- 商品封装
- Q-DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 222A | |
| 耗散功率(Pd) | 789W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.922nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 502pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ |
商品概述
基于英飞凌稳健的第二代碳化硅沟槽技术，750V CoolSiC MOSFET提供了无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它支持经济高效、高效率且简化的设计，以满足不断增长的系统与市场需求。
商品特性
- 高度稳健的750V技术，100%经过雪崩测试
- 业界领先的R_DS(on)×Q_fr
- 优异的R_DS(on)×Q_oss和R_DS(on)×Q_G
- 低C_rss/C_iss与高V_GS(th)的独特组合
- 英飞凌专有的芯片贴装技术
- 采用材料组I的先进TSC封装
- 提供驱动源引脚
- SMD器件中业界领先的R_DS(on)
应用领域
- 固态继电器和断路器
- 电动汽车充电基础设施
- 太阳能光伏逆变器和UPS
- 储能和电池化成
- 电信和服务器SMPS
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- STH65N050DM9-7AG
- IGLR70R140D2SXUMA1
- IPZA60R070CM8XKSA1
- IPZA65R040CM8XKSA1
- SRP4021HMCT-4R7M
- SRP4021HMCT-3R3M
- SRP4021HMCT-2R2M
- SRP4021HMCT-6R8M
- NQ05W8F2372T5E
- TRS10A65F,S1Q(S2
- LCCPU33L
- 24*31*66mm
- CAI0402C0G470J500GT
- CAI0603C0G391J500JT
- CAI0603X7R472K101JT
- CAI0603C0G120J500JT
- CAI0805X7R225K160MT
- CAI0805X7S225K500MT
- CAI1206X7R104K500KT