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STH65N050DM9-7AG

汽车级N沟道功率MOSFET，采用MDmesh DM9技术，H2PAK-7封装，具有快速恢复体二极管、低FOM等特性

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STH65N050DM9-7AG
商品编号: C47146883
商品封装: H2PAK-7
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	51A
	导通电阻(RDS(on))	38mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	266W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	100nC

商品概述

这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术，适用于中/高压MOSFET，其单位面积的导通电阻RDS(on)极低，并配备快速恢复二极管。基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺，可实现更优化的器件结构。快速恢复二极管具有极低的恢复电荷Qrr、恢复时间trr和导通电阻RDS(on)，使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求苛刻的高效桥拓扑和ZVS移相转换器。

商品特性

通过AEC-Q101认证
快速恢复体二极管
极低的品质因数（RDS(on)×Qg）
低栅极电荷、输入电容和电阻
100%雪崩测试
极高的dv/dt鲁棒性
由于额外的驱动源引脚，具有出色的开关性能

应用领域

电动汽车/混合动力汽车的DC/DC转换器
车载充电器（OBC）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	4.68nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	76pF
	栅极电压(Vgs)	±30V