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IPZA65R040CM8XKSA1

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPZA65R040CM8XKSA1
商品编号: C47146896
商品封装: TO-247-4
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	62A
	导通电阻(RDS(on))	33mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	329W
	阈值电压(Vgs(th))	4.2V
	栅极电荷量(Qg)	80nC

商品概述

CoolMOS第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CM8系列是650V CoolMOS 7系列的继任者,提升了英飞凌的宽禁带(WBG)产品阵容。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如低振铃趋势,所有产品均采用快速体二极管(CFD),对硬换相具有出色的鲁棒性和卓越的静电放电(ESD)能力。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

商品特性

同类最佳的650V超结MOSFET性能
凭借出色的换相鲁棒性,适用于硬开关和软开关拓扑
集成快速体二极管和ESD保护
.XT互连技术,实现同类最佳的热性能

应用领域

电源和转换器
功率因数校正(PFC)级和LLC谐振转换器
高效开关应用
例如数据中心、人工智能服务器、电信电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	3.796nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	独立式
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	44pF
	栅极电压(Vgs)	±20V