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IPT60R055CM8XTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPT60R055CM8XTMA1

基于超结MOSFET平台的MOSFET功率晶体管,集成快速体二极管,适用于多种应用

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商品型号
IPT60R055CM8XTMA1
商品编号
C47146866
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))46mΩ@10V
耗散功率(Pd)278W
阈值电压(Vgs(th))4.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)51nC
输入电容(Ciss)2.245nF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)29pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

基于英飞凌世界级超结MOSFET平台构建,集成了快速体二极管,适用于广泛的应用领域。它能够以尽可能低的系统成本实现最高的功率密度,并具有卓越的可靠性。它是英飞凌宽带隙产品系列的增强型产品,也是600V CoolMOS 7 MOSFET系列的继任者。

商品特性

  • 一流的超结MOSFET性能
  • 适用于广泛的硬开关和软开关应用,具有出色的换向鲁棒性
  • 集成快速体二极管和ESD保护
  • .XT互连技术,实现一流的热性能
  • 提供一流的超结MOSFET性能,具备最佳性价比
  • 使用方便,缩短设计周期
  • 支持多种拓扑结构
  • 热阻降低14 - 42%,改善热性能

应用领域

  • 数据中心、人工智能服务器、电信电源
  • 微型和家用混合逆变器
  • 便携式和家用储能设备、不间断电源
  • 电动汽车充电、轻型电动车、电动叉车
  • 高压固态配电
  • 家用和专业工具
  • 充电器、适配器、电视和游戏机开关电源

数据手册PDF