STHU65N050DM9AG

这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术，适用于中/高压MOSFET，具有单位面积极低的导通电阻RDS(on)，并配备快速恢复二极管。基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺，可实现更优化的器件结构。该快速恢复二极管具有极低的反向恢复电荷（Qrr）、反向恢复时间（trr）和导通电阻RDS(on)，使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求严苛的高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。

• 通过AEC-Q101认证
• 快速恢复体二极管
• 极低的品质因数(FOM,RDS(on) · Qg)
• 低栅极电荷、输入电容和电阻
• 100%雪崩测试
• 极高的dv/dt鲁棒性
• 得益于额外的驱动源引脚,具备出色的开关性能

• 电动汽车/混合动力汽车(EV/HEV)的DC/DC转换器
• 车载充电器(OBC)