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STHU65N050DM9AG

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STHU65N050DM9AG
商品编号: C47146870
商品封装: HU3PAK
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	51A
	导通电阻(RDS(on))	38mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	245W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	100nC

商品概述

这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术,适用于中/高压MOSFET,具有单位面积极低的导通电阻RDS(on),并配备快速恢复二极管。基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺,可实现更优化的器件结构。该快速恢复二极管具有极低的反向恢复电荷(Qrr)、反向恢复时间(trr)和导通电阻RDS(on),使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求严苛的高效桥拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器。

商品特性

通过AEC-Q101认证
快速恢复体二极管
极低的品质因数(FOM,RDS(on) · Qg)
低栅极电荷、输入电容和电阻
100%雪崩测试
极高的dv/dt鲁棒性
得益于额外的驱动源引脚,具备出色的开关性能

应用领域

电动汽车/混合动力汽车(EV/HEV)的DC/DC转换器
车载充电器(OBC)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	4.68nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	76pF
	栅极电压(Vgs)	±30V