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AO4421-TP实物图
  • AO4421-TP商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO4421-TP

无 耐压:60V 电流:6.8A

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描述
VDSS:60V;ID:6.8A;RDS(ON)45mΩ.
商品型号
AO4421-TP
商品编号
C47117511
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.172克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V;60mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC
输入电容(Ciss)1.725nF
反向传输电容(Crss)113pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)136pF

商品概述

WSF35N10采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。 WSF35N10符合RoHS和绿色产品要求,经过全面功能可靠性认证,100%保证具有抗雪崩能力。

商品特性

~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-有绿色环保器件可供选择

应用领域

  • 汽车照明-负载开关-不间断电源

数据手册PDF