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DMN33D8LV-TP
耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- DMN33D8LV-TP
- 商品编号
- C47117525
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品概述
WSF5N50A 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 Cdv/dt 效应抑制能力
- 提供环保型产品
应用领域
-反接电池保护-负载开关-电源管理-电机控制