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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPMF370XN

耐压:30V 电流:800mA

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPMF370XN
商品编号
C47117628
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.0299克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)800mA
导通电阻(RDS(on))650mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)360mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)5.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)146pF
反向传输电容(Crss)14.8pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)36.6pF

商品概述

WSD40L66DN56采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。 WSD40L66DN56符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。

商品特性

  • SOT323
  • 标记:KFT

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子产品的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF