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TPSSM6N44FE
N沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPSSM6N44FE
- 商品编号
- C47117641
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品概述
WSK30N20G是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WSK30N20G符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了易感性雪崩耐量（EAS）测试，并具备全面可靠的功能。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供环保型器件
应用领域
-反接电池保护-负载开关-电源管理-电机控制