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APM2301CAC-TP
P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- VDSS:40V;ID:4A;RDS(ON)36mΩ.
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- APM2301CAC-TP
- 商品编号
- C47117515
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1811nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121.3pF |
商品概述
50P06是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 50P06符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。 超低栅极电荷 100%雪崩能量耐量（EAS）保证 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽（Tre）技术
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽（Tre）技术
应用领域
-负载/电源开关-接口开关-逻辑电平转换