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WSF70N10G
N沟道MOSFET
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- 描述
- N沟道 100V 65A，可应用于汽车电子、POE、LED灯、音响、数码产品、小家电、消费类电子、保护板
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF70N10G
- 商品编号
- C47116177
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3692克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.372nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 291pF |
商品概述
WSF70N10G采用先进的SGT-II技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 先进的SGTmos技术,超低栅极电荷
- 低栅极电荷
- 低RDS(ON)
应用领域
-DC/DC转换器-LED背光-电源管理开关