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WSK30N20G
N沟道MOSFET
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- 描述
- N沟道 200V 40A，可应用于电子烟、无线充、电机、BMS、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、3D打印机、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSK30N20G
- 商品编号
- C47116191
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSK30N20G是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷特性。 WSK30N20G符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过了易感性雪崩耐量(EAS)测试,并具备全面可靠的功能。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供环保型器件
应用领域
-高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关