WSL60N65
N沟道MOSFET
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- 描述
- N沟道 650V 60A,可应用于电子烟、无线充、电机、BMS、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、3D打印机、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSL60N65
- 商品编号
- C47116194
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
WSL60N65 是 CoolFET II MOSFET 系列产品,采用电荷平衡技术,具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WSL60N65 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 高耐用性
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
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