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WSP11N10D
双N沟道MOSFET
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- 描述
- 双N沟道 100V 11A，可应用于汽车电子、POE、LED灯、音响、数码产品、小家电、消费类电子、保护板
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP11N10D
- 商品编号
- C47116196
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1982克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 204pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
WSP11N10D是高性能沟槽式双N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 WSP11N10D符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
-用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关
- HSS-24T
- M5
- GNV-UUN153 3usb
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-60MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-80MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-100MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-120MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-140MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-160MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-180MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-200MM
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- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-240MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-260MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-280MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.37-300MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.78-60MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.78-80MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.78-100MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.78-120MM
- KH-SMBK-SMBK-RG1.78-140MM