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WSD3039DN56
N沟道和P沟道MOSFET
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- 描述
- N+P沟道 30V/-30V 20A/-16A，可应用于马达电机、汽车电子、小家电
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD3039DN56
- 商品编号
- C47116178
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.103克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
WSD3039DN56采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。WSD3039DN56符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS保证,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 100% EAS保证
- 有绿色环保器件可选
应用领域
-无线充电-升压驱动器-无刷电机