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WSK35N25
N沟道MOSFET
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- 描述
- N沟道 250V 35A，可应用于电子烟、无线充、电机、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、3D打印机、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSK35N25
- 商品编号
- C47116182
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.969nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF |
商品概述
WSK35N25是采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),通过自对准平面技术制造而成,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。 WSK35N25符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)