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WSF5N50A
N沟道 耐压:500V 电流:4.8A
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- 描述
- N沟道 500V 4.8A，可应用于LED电压、适配器、工业控制、医疗电源、5G
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF5N50A
- 商品编号
- C47116184
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.458333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 32.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSF5N50A 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET,采用自对准平面技术制造,可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 Cdv/dt 效应抑制能力
- 提供环保型产品
应用领域
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)