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WSD13N10TDN33
双N沟道MOSFET
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- 描述
- N+N沟道 100V 15A，可应用于电子烟、无线充、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD13N10TDN33
- 商品编号
- C47116174
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0566克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 107mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSD13N10TDN33采用先进技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 100%进行UIS + Rg测试。
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
- 湿气敏感度等级为MSL1(符合JEDEC J - STD - 020D标准)
应用领域
-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。