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VB2103K
1个P沟道 耐压:100V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率和小封装体积要求的电子模块中，为各种便携式和低功耗设备提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT23-3；P—Channel沟道,-100V；-0.3A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB2103K
- 商品编号
- C480920
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,0.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 120pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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