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VBA4317
2个P沟道 耐压:30V 电流:9.5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用，包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA4317
- 商品编号
- C480936
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,7.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%经过单向雪崩能量（UIS）测试
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
- 游戏机