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VBC6N3010
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.6A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款共源N+N型MOSFET，采用Trench技术，适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、驱动器模块、电动工具控制模块等领域。TSSOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.6A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC6N3010
- 商品编号
- C480940
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 980mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单