VBC6N3010

2个N沟道 耐压:30V 电流:8.6A

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描述

台积电流片，长电科技封装；是一款共源N+N型MOSFET，采用Trench技术，适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、驱动器模块、电动工具控制模块等领域。TSSOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.6A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

VBC6N3010

商品编号

C480940

商品封装

TSSOP-8

包装方式

编带

商品毛重

2.11克(g)