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VB2658
1个P沟道 耐压:60V 电流:3.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23；P—Channel沟道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB2658
- 商品编号
- C480921
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- P沟道
- 工作温度 175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅（Pb）版本