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VBA1328
1个N沟道 耐压:30V
- 描述
- SOP8；；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1328
- 商品编号
- C480925
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑负载开关-低电流直流-直流转换