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VBA3310
1个N沟道 耐压:30V 电流:13.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；13.5A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA3310
- 商品编号
- C480930
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 641pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100%进行Rq测试
- 100%进行UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关