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VBA2305
1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道MOSFET功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高效能耗的应用场景，包括电源管理、汽车电子、工业控制和LED照明等领域的相关模块。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-18A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA2305
- 商品编号
- C480927
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V；8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V；27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.42nF |
商品特性
- 沟槽第四代P沟道功率MOSFET
- 可实现更高的功率密度
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 移动设备电池管理
- 适配器和充电器开关
- 电池开关
- 负载开关