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LX2301S
P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 结合先进沟槽技术，提供出色的低导通电阻、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。适用于作为负载开关或其他一般应用。
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX2301S
- 商品编号
- C46597968
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 252pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品特性
- 650V、15A
- RDS(ON) < 300 mΩ（@ VGS = 10 V，典型值：240 mΩ）
- 超结技术
- 极低导通电阻
- 快速开关
- 低栅极电荷
应用领域
- LED/LCD/PDP电视和显示器照明
- 太阳能/可再生能源/UPS - 微型逆变器系统
- 充电器
- 电源