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LX3415ES
P沟道增强型MOSFET
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于负载开关应用。
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX3415ES
- 商品编号
- C46597979
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
LX3415KS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
商品特性
- VDS = -20 V，ID = -4.1 A
- RDS(ON)典型值 = 21mΩ（VGS = -4.5 V时）
- RDS(ON)典型值 = 27mΩ（VGS = -2.5 V时）
- 静电放电（ESD）保护达2 KV
- 低栅极电荷
- ESD保护
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电池隔离
- 负载开关
- 电子烟