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LX2301BS
P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 结合先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或其他一般应用。
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX2301BS
- 商品编号
- C46597969
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0428克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
LX2301BS结合了先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或其他通用应用。
商品特性
- VDS = -20 V,ID = -2 A
- RDS(ON)典型值 = 88 mΩ @ VDS = -4.5 V
- RDS(ON)典型值 = 97 mΩ @ VDS = -2.5 V
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理