温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LX3400BL
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 结合先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX3400BL
- 商品编号
- C46597971
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 635pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品特性
- 低固有电容
- 出色的开关特性
- 扩展的安全工作区
- 100%雪崩测试
- BVDSS = 800V，ID = 10A
- RDS(导通)：1.0 Ω（最大值）@ VG = 10V
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 44nC（典型值）