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LX2312S
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 结合先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX2312S
- 商品编号
- C46597975
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
LX2312S结合先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于作为负载开关或PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 6.8 A
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V时，典型漏源导通电阻（RDS(ON) 典型值） = 15 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 2.5 V时，典型漏源导通电阻（RDS(ON) 典型值） = 19 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理