温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LX2301S
P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 结合先进沟槽技术，提供出色的低导通电阻、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。适用于作为负载开关或其他一般应用。
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX2301S
- 商品编号
- C46597968
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 252pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
LX2301S采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,且能够在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或其他通用应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20 V,漏极电流ID = -1.5 A
- 在漏源电压VDS=-4.5 V时,导通电阻RDS(ON)< 160 mΩ
- 在漏源电压VDS=-2.5 V时,导通电阻RDS(ON)< 230 mΩ
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理