FDD86102
1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
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描述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的,针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDD86102商品编号
C47711商品封装
TO-252(DPAK)包装方式
编带
商品毛重
0.438克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 36A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@10V,8A | |
功率(Pd) | 62W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.035nF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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