温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD86102
1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86102
- 商品编号
- C47711
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.035nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。该工艺针对导通电阻（rDS(on)）、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 8 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 24 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 6 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 38 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻（rDS(on)）
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 与其他沟槽技术相比，栅极电荷（Qg）和栅漏电荷（Qgd）极低
- 开关速度快
- 100%进行了非钳位感性负载（UII）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换